原理

高壓MOSFET管通過柵極與源極之間的電場控制漏極與源極之間的電流，實(shí)現(xiàn)高效功率開關(guān)功能。其核心原理在于柵極電壓的變化會改變溝道中的電子分布，從而控制電流的通斷。當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，MOSFET進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，電流從漏極流向源極；而當(dāng)柵極電壓為零或負(fù)電壓時(shí)，MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，阻斷電流流動。這種特性使得高壓MOSFET管成為電源、逆變器和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中的關(guān)鍵器件。  

產(chǎn)品特性

合科泰推出的7N60（600V耐壓）和7N65（650V耐壓）高壓MOSFET管性能卓越，兼具高耐壓、低導(dǎo)通電阻和高效散熱等優(yōu)勢。它們具備出色的高電流承載能力和快速開關(guān)特性，特別適用于高頻逆變器、工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用。其電學(xué)特性表現(xiàn)優(yōu)異，包括：

• 漏源電壓（VDSS）：600V（7N60） / 650V（7N65）；

• 連續(xù)漏極電流（ID）：7A，支持大電流負(fù)載；

• 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：低至1.08Ω（7N65），顯著降低導(dǎo)通損耗；

• 柵極閾值電壓（VGS(th)）：2-4V，兼容低壓驅(qū)動電路。

7N60/7N65產(chǎn)品采用TO-252封裝，這是一種高效、緊湊的表面貼裝形式。TO-252封裝的產(chǎn)品具有小尺寸、高穩(wěn)定性和優(yōu)異散熱性能，特別適合在空間有限的電路中使用。TO-252封裝的高壓MOSFET管具有非常好的高頻特性，如低寄生電容、低開關(guān)損耗和低熱阻等。產(chǎn)品設(shè)計(jì)緊湊，散熱優(yōu)良，適用于高頻、高功率的應(yīng)用場景。

TO-252封裝7N60/7N65推薦

7N60/7N65具有出色的穩(wěn)定性和高效的工作性能，應(yīng)用范圍廣泛。在電源適配器、工業(yè)電源模塊、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動器、車載充電器（OBC）等產(chǎn)品中，均可見到它們的身影。它們可以與電阻、電容、電感等元器件合理搭配，構(gòu)成不同功能的電路，實(shí)現(xiàn)對電源的高效開關(guān)控制、對電機(jī)的精準(zhǔn)驅(qū)動以及對能量的高效轉(zhuǎn)換。 

總之，7N60/7N65高壓MOSFET管以其高耐壓、低損耗、高效散熱等特性，成為工業(yè)與新能源領(lǐng)域的可靠選擇。無論是工業(yè)電源、新能源設(shè)備還是智能控制系統(tǒng)，它們都能提供穩(wěn)定可靠的性能支持，助力客戶實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能的解決方案。