根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，2024年第一季DRAM產業主流產品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1%，達183.5億美元，推動多數業者營收延續季增趨勢。

出貨表現上，第一季三大原廠皆出現季減，反映產業淡季效應，加上下游業者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價方面，三大原廠延續著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價意愿強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動Mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用，而Consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，導致價格漲幅居所有應用之末。

TrendForce集邦咨詢指出，第二季即使消費性需求減少，原廠的出貨位元數仍將反映季節效應而季增；價格方面，在地震后災損狀況尚未明確厘清期間，采購心態有所改變，PC OEMs始有零星成交價格開出，漲幅高于TrendForce集邦咨詢預期，預估最終DRAM合約價將上漲13-18%。


行業巨頭營收微漲 減產出貨起效

自營收角度觀察，Samsung的營收微幅增加至80.5億美元，第一季增幅僅1.3%，營收市占小幅下滑1.6個百分點至43.9%，仍維持排名第一；售價季增約20%，抵消位元出貨量的中個位數季減幅度，以價補量結構明顯。

排名第二的SK hynix，第一季營收微幅增加至57.0億美元，季增幅僅2.6%，營收市占小幅下滑0.7個百分點至31.1%；售價季增約20%，抵消位元出貨量的中個位數季減幅度，結構與Samsung相同。

Micron第一季營收增加至39.5億美元，季增幅達17.8%，營收市占上升2.3個百分點至21.5%，排名第三名；售價季增約23%、同時位元出貨量僅季減4-5%，表現優于前兩大同業，除本季價格策略較積極外，Server DRAM出貨受惠于美系大客戶訂單，表現相對穩健。

第二季三大原廠預估的出貨量將分別為：Samsung出貨量成長低個位數至高個位數幅度、SK hynix季增中個位數的幅度、Micron小幅季減。

Nanya第一季在價格回升所帶動的備貨動能，以及Consumer DRAM終端銷售動能回升較緩等需求消長影響下，第一季出貨量為低個位數的季增幅度，ASP（平均銷售單價）有高個位數的季增幅度，營收季增10.5%至3.02億美元。

存儲芯片有望迎來量價齊升

弘毅遠方基金陳祥輝介紹，據IDC預測，全球AI計算市場規模將從2022年的195.0億美元增長到2026年的346.6億美元；中國智能算力規模與去年相比增加了41.4%，規模占比達22.8%，超過全球整體智能算力增速（25.7%）。

“AI服務器對DRAM的需求是普通服務器的8倍，NAND需求是普通服務器的3倍5。隨著AI服務器出貨量的增加，存儲芯片市場將迎來量價齊升。”弘毅遠方基金陳祥輝指出，高帶寬存儲器（HBM）技術因其高速數據傳輸能力，在AI服務器中得到廣泛應用。預計未來幾年，HBM技術的市場規模將持續增長。存算一體技術通過在存儲器中嵌入計算能力，有效提升了數據效率，解決了傳統馮諾依曼架構中的瓶頸問題。存儲行業在AI算力的拉動下，將迎來新的增長周期。國內存儲企業通過技術創新，有望在全球市場中占據一席之地。


有待提升的市場份額

存儲芯片市場向好本是件好事兒，但中國存儲芯片行業起步較晚，技術水平相對較低，導致國內市場幾乎全部依賴進口。目前，國產存儲芯片的自給率不足10%，甚至有報道稱不足5%。然而，國內企業如兆易創新、長江存儲等正在積極布局并逐步提升技術水平，初步形成競爭優勢。

由于國內存儲芯片技術限制，國內半導體存儲器仍大量依賴進口，行業進口替代空間廣闊。國內企業正在積極提高技術能力和產品水平，從存儲模組產品、固件開發、主控芯片研發到存儲晶圓生產，不斷探索和發展，努力提高自主可控水平。

好在去年8月以來，DRAM、NAND Flash廠商開始減產挺價，存儲芯片價格終于走出暴跌的陰霾。特別是閃存價格持續上漲，NAND指數由421.57開始反轉，今年4月30日已經高達825.26，漲幅已經超過95.8%。

經過多年的發展，國產存儲芯片巨頭長江存儲、長鑫存儲、福建晉華等公司逐漸取得突破，并搶占了部分存儲市場。

三家公司發展各有側重，長江存儲發力于“晶棧”技術，并在NAND領域實現長足的進展。長鑫存儲則發力于DRAM，并已經推出多種DRAM芯片。福建晉華側重于發展DRAM內存，未來有望快速恢復發展。

2月28日，福建晉華經過五年的艱苦博弈，在美國贏得美國司法部訴訟，成功擺脫了知識產權方面的無端指控。這對國產芯片具有重大意義，不僅顯示我國科技類企業持續強化合法合規運營，也進一步向世人宣布中國芯片研究實力的提升。

國產替代兩大核心賽道

存儲芯片在集成電路市場中占據了四分之一以上的份額，并且與集成電路市場相比，存儲芯片市場的周期性更加明顯和劇烈。全球半導體存儲器市場中，DRAM的占比高達56%，而NAND Flash則約占41%。

存儲芯片產業鏈由多個環節組成，包括集成電路設計、晶圓制造、封裝和測試以及模組廠商集成等。上游參與者主要是半導體材料供應商和半導體設備供應商，提供硅片、光刻膠、靶材、拋光材料、電子特種氣體等半導體材料，以及光刻機、PVD、CVD、刻蝕設備、清洗設備、封測設備等半導體設備。

目前，無論是DRAM還是NAND Flash市場，都呈現出海外企業寡頭壟斷的格局。我國的大部分廠商仍在與國際龍頭企業進行錯位競爭，主要聚焦在利基型市場。

早期全球領先的企業如三星、海力士和美光通過大量資本投入進入了DRAM存儲器領域，并逐步積累了顯著的市場競爭優勢。當前全球DRAM晶圓市場目前主要由這三家企業主導。

據Omdia數據顯示，近十年來，以上三家DRAM晶圓原廠每年都需要投入數十億美元用于固定資產投資，且這一趨勢呈波動式增長。這充分表明，DRAM晶圓設計與制造行業有著相當高的資本門檻。

國內產業鏈布局廠商中，兆易創新和北京君正這兩家企業都在布局DRAM和Flash市場。兆易創新是國內領先的半導體設計企業，其產品涵蓋了存儲器、微控制器和傳感器。北京君正則于2020年收購了北京矽成100%的股權，其產品主要包括微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲芯片和模擬與互聯芯片。

此外，普冉股份是國內非易失性存儲領域的領先芯片設計企業之一，其主要產品包括NOR Flash和EEPROM。普冉股份憑借其獨特的SONOS工藝和40nm的領先制程，在中小容量領域具有突出的低功耗和高性價比優勢。