芯片短缺的影響為IDM公司和Foundry廠商敲響警鐘。由于IDM公司對于芯片需求的誤判以及受限于Foundry廠商廠房和產能的限制，近半年來，全球芯片短缺危機持續，IDM公司訂單蜂擁而至，Foundry廠商所有工廠滿負荷運轉，但仍未能滿足不斷增長的需求。

就在全球各設備制造商面臨日益枯竭的芯片供應窘境時。今年3月，半導體公司英特爾（Intel）突然宣傳重新跨入Foundry業務，目標定位直指昔日的代工伙伴三星和臺積電。Intel新上任CEO，Pat Gelsinger剛上臺即發布“IDM2.0戰略”，戰略重心聚焦提振半導體制造優勢。該公司宣布計劃在2021年建造兩座新工廠，資本支出預計200億美元。

在此市場背景下，領先的Foundry廠商正謀定思變積極備戰。4月，臺積電宣傳將原有的資本支出從280億美元提升至300億美元，并表示未來三年投入1000億美元。同時，臺積電、三星等Foundry廠商也在擴建新廠。從這里不難看出，他們似乎在為整個半導體制造業格局的可能重組做準備。

Foundry市場是一個需要極大資金且分散的業務，經過十幾年的洗牌以及工廠和技術成本的持續上升。從目前全球代工企業來看，頂尖的廠商分布包括臺積電、三星、GlobalFoundries、中芯國際、聯華電子（UMC）等。這些代工企業為全球芯片原廠生產制造最先進的芯片，如GPU、CPU、FPGA、NAND、DRAM。

截止目前，三星和臺積電是唯一提供最先進節點（7nm和5nm）的Foundry廠商，并且二者已將下一個目標鎖定為3nm。不過值得一提的是，IBM公司于5月6日宣布已經研發出全球首個2nm芯片。IBM公司并不是一家Foundry廠商，在制造能力方面，該公司與三星、英特爾是合作關系。

英特爾此次選擇重新入局Foundry市場可能會是一個機會，也是一項挑戰。早在十年前，英特爾最初進入Foundry業務時，就失敗了。其在10nm工藝方面進程的延誤，導致了臺積電與三星的技術一直處于技術領先地位。

而今天，該公司新的領導人Pat Gelsinger表示，將縮小其與對手的技術差距，并成為更具有競爭力的Foundry廠商。然而，后續的代工之路可能不會那么一帆風順。因為其代工技術目前落后于臺積電，要趕上肯定不是一件容易的事情。臺積電也不會讓其超越。除非英特爾投入大量時間和資源。

英特爾策略方向

今年，在Foundry市場動蕩環境下，出于對目前芯片產能嚴重不足和過渡依賴于亞洲Foundry工廠的考量，加之美國政府欲重新恢復半導體制造的優勢。英特爾似乎在該動蕩中看到了機會。為了解決半導體供應鏈問題，英特爾重振Foundry業務，將目標瞄向歐美芯片代工市場。

英特爾新設立的Foundry工廠將提供22nm工藝，以及現有的14nm工藝。7nm節點芯片可能要到2023年才能出貨。反觀臺積電和三星，前者繼續在臺灣興建新的工廠，按階段目標生產5nm和3nm芯片。并還計劃在美國建立一座5nm的新工廠，計劃將于2024年投產；后者三星和其他公司也在計劃新的工廠。

22nm是28nm的擴展升級版，提供比后者更高性能，同時比14nm更便宜。目前22nm仍然是一個巨大的市場，涉及行業多個應用，如人工智能（AI）、物聯網（IoT）及可穿戴設備等。在這個芯片節點上，各個Foundry廠商正采用不同的技術競爭。英特爾在正在使用22nmFinFET工藝；GlobalFoundries使用22nmFD-SOI；以及包括臺積電、三星等都是采用不同的工藝技術。

除了22nm之外，英特爾還利用現有的14nm技術入局Foundry廠。該工藝技術對于這家半導體共而言是最成熟的制程工藝。此外，英特爾正在逐漸打造一家規模化的Foundry廠，這家公司已經從現有的14nm工藝入手，將目標開始向7nm和5nm的EUV節點進發。

Foundry市場競賽

從目前全球Foundry廠商來看，三星和臺積電仍然處于市場領導地位。中芯國際是國內最大的Foundry廠供應商，目前技術開發已經深入7nm工藝，除此之外還有其他節點。但由于最近美國政府將中芯國際列入實體名單，這意味著設備供應商必須獲得特殊許可證，才能向其出售光刻機設備。這樣的直接結果是，目前該公司7nm的努力有點擔憂。

同時，英特爾要想獲得Foundry行業的競爭優勢，現在必須具備提供7nm工藝的能力。在EUV已經成熟的情況下，英特爾已經從最初的7nm技術起步不穩到重回正軌。現在英特爾已經計劃在2021年推出一款7nm的產品。不過批量生產可能要到2023年上半年才能確定。

簡而言之，英特爾仍然落后。臺積電和三星兩年前就已經在7nm上采用了EUV，而且獲取了先進制程的技術經驗。這兩家供應商已經在各自的5nm工藝上發力，3nm工藝也會接踵而至。據悉，臺積電在2022年第三季度計劃向蘋果公司提供3nmFinFET。三星公司也正按計劃推出第一代3nm。

從各公司產品路線圖上看，臺積電計劃將FinFET擴展到3nm，然后在2023年、2024年，以2nm轉向新型全柵場效應晶體管（GAA FET）。相比之下，三星正從5nmFinFETs移動到3nm的GAA FET。與此同時，英特爾等其他公司也都在開發這種GAA FET架構。作為FinFET的演進架構，它具備比FinFET提供更高性能和更復雜的制造工藝。

從技術層面而言，目前英特爾正著眼于開發納米片FET，為其5nm節點開發做準備。后期量產時間尚且未知。ICInsight曾指出，“至少在未來三年里，三星和臺積電每年的總支出將超過500億美元，任何一家公司在領先邏輯處理技術方便都很難趕上這兩家公司。”其他競爭對手方面，GlobalFoundries和聯華電子仍然活躍在16nm/14nm以上。

總結：面對全球芯片市場缺貨窘境，業界領先Foundry廠商正積極備戰，參與一場資本支出、工廠及技術競賽。老牌的Foundry領先企業臺積電（TSMC）、三星（Samsung）、GlobalFoundries、中芯國際和聯華電子（UMC）在許多技術領域提供Foundry服務。不過，英特爾（intel）重新入局，勢必會影響芯片代工行業未來的競爭格局，甚至爆發搶食市場份額大戰。

論芯片設計歐美領先，論芯片代工制造亞洲當之無愧統領全球80%以上的生產制造。但是，現在英特爾為首的美國半導體公司正計劃打破半導體制造區域格局，欲使后者獲取芯片制造的優勢。這種操作對亞洲臺積電、三星、中芯國際等Foundry廠商勢必造成沖擊，短期而言是競爭關系，往深遠考慮，對我國半導體芯片制造可能會出現卡脖子的問題。

反觀國內，提振半導體產業一直是我國重要戰略。過去幾年在集成電路設計領域，國內已經開始涌現一批前沿設計公司，包括華為海思、展銳、中興微、華大、智芯微、匯頂科技、大唐等一批優秀企業。Foundry行業，中芯國際已經成為中國大陸最大的芯片代工企業。技術工藝已經開始研發7nm工藝。但趕超對手，未來之路仍任重道遠。