8月9日消息，據(jù)相關(guān)媒體報道，吉利旗下星紀(jì)魅族將調(diào)整芯片業(yè)務(wù)或放棄自研芯片，今年應(yīng)屆生或被全部優(yōu)化。

此前，有不少疑似星際魅族的員工爆料，公司疑把今年入職的應(yīng)屆生全部優(yōu)化。因芯片投資周期長，成本高，AR芯片現(xiàn)在沒有出產(chǎn)品，影響上市計劃，星紀(jì)魅族計劃調(diào)整芯片業(yè)務(wù)。該部門大約有200名員工，今年入職的應(yīng)屆生有40余人。調(diào)整計劃是裁撤所有應(yīng)屆生，留一小部分老員工，賠償方案正在商定中。

針對芯片業(yè)務(wù)調(diào)整一事，星紀(jì)魅族方面回應(yīng)稱，面對全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的不確定性，星紀(jì)魅族集團(tuán)決定終止自研芯片業(yè)務(wù)，更加聚焦產(chǎn)品創(chuàng)新和軟件用戶體驗。由于相關(guān)業(yè)務(wù)調(diào)整，涉及到部分人員調(diào)整優(yōu)化，公司正在積極協(xié)調(diào)，溝通解決方案，依法合規(guī)妥善解決問題，針對受影響的應(yīng)屆畢業(yè)生，公司也在通過內(nèi)部推薦等方法最大限度分流。

據(jù)星紀(jì)魅族官網(wǎng)顯示，芯片研究院所屬的前瞻技術(shù)體系，被列為星紀(jì)魅族七大業(yè)務(wù)之一，涵蓋芯片技術(shù)、核心算法、操作系統(tǒng)等。在此前舉辦集團(tuán)戰(zhàn)略溝通會上，星紀(jì)魅族董事長兼CEO沈子瑜曾表示，前瞻技術(shù)連同手機(jī)/車機(jī)、XR技術(shù)，是未來星紀(jì)魅族的三大核心戰(zhàn)略。

三大手機(jī)廠商自研芯片全部失敗

繼OPPO哲庫宣告解散后，星紀(jì)魅族成為第三家自研芯片失敗的手機(jī)廠商。

縱觀國內(nèi)手機(jī)廠商中，為了進(jìn)一步打出差異化的賣點(diǎn)，與友商拉開明顯的差距。“華米OV”都曾懷著勢不可擋的勇氣加入自研芯片戰(zhàn)局。不過，能笑到最后的只有少數(shù)幾家，或因為自研芯片難度太大，沒有產(chǎn)出，投資方不愿再注資，計劃破產(chǎn)；或因為芯片產(chǎn)出了，卻因受到無端制裁，而陷入沉寂。

2004年，華為海思成立，通過長達(dá)9年的埋頭研發(fā)，其麒麟系列第一款麒麟910芯片在2013年正式面世。這一年剛好是智能手機(jī)爆發(fā)增長時期，在芯片設(shè)計方面，國內(nèi)手機(jī)廠商還依賴著國外技術(shù)，彼時華為海思通過麒麟芯片率先占領(lǐng)國內(nèi)手機(jī)廠商自研芯片市場高地。

在麒麟芯片問世一年后，小米加入。2014年，小米在北京成立全資子公司松果電子，暗自發(fā)力芯片研發(fā)。三年的夙興夜寐，終于在2017年2月春，小米成功發(fā)布首款自研手機(jī)芯片澎湃S1，并成為繼蘋果、三星和華為之后的全球第四家同時具備手機(jī)及芯片設(shè)計研發(fā)的企業(yè)。然而，后續(xù)小米的自研芯片之路并不順利，其萬眾矚目的澎湃S2五次流片均告失敗，自研SoC計劃也暫時畫上了句號。

2021年VIVO執(zhí)行副總裁兼首席運(yùn)營官胡柏山首次對外披露VIVO的芯片戰(zhàn)略，宣布VIVO將主要圍繞設(shè)計、影像、系統(tǒng)和性能四個長賽道展開。同年9月，VIVO不負(fù)眾望推出首款自主研發(fā)專業(yè)影像芯片“VIVO V1”。

2019年，oppo率領(lǐng)旗下公司哲庫組建芯片團(tuán)隊，哲庫總裁陳明永立下“十年之約”，志在NPU芯片領(lǐng)域干出一番大事業(yè)。可惜的是，OPPO哲庫在NPU芯片上留下重要性成果之后，在2023年撤銷了研發(fā)團(tuán)隊，退出自研芯片舞臺。

一直以來，半導(dǎo)體行業(yè)都沒有漫不經(jīng)心的成功，全是是蓄謀已久的出擊，駕輕就熟的背后是有備而來。華為自研SoC成功是通過長達(dá)9年的埋頭研發(fā)，10年研發(fā)支出超9700億的大手筆投資。

自研芯片從來不是一條容易走的路，失敗和中斷總是穿插其中，成功少有，遺憾才是常態(tài)。華為被制裁，OPPO解散團(tuán)隊，小米不及預(yù)期，星紀(jì)魅族芯片業(yè)務(wù)調(diào)整，這些事實告訴我們，有時候，努力并不一定會有成果。

但是，不努力，一定不會有成果。雖然手機(jī)SoC這條路我們走得相當(dāng)困難，但我們在其他道路已經(jīng)有所突破。

MCU領(lǐng)域中，近幾年在國產(chǎn)替代的大風(fēng)口之下，國內(nèi)MCU廠商如雨后春筍般出現(xiàn)，據(jù)不完全統(tǒng)計，已經(jīng)有近百余家，他們往往從小家電和工業(yè)控制為切入口，出于供應(yīng)鏈安全考慮，國內(nèi)部分客戶對使用國產(chǎn) MCU 的意愿不斷增強(qiáng)，這幾年逐漸實現(xiàn)了一定的國產(chǎn)替代。

如國產(chǎn)MCU廠商——先楫半導(dǎo)體，其主打產(chǎn)品HPM6000系列芯片立足于國產(chǎn)RISC-V MCU領(lǐng)域，在高速和高可靠性上與主流國際原廠媲美，實現(xiàn)了創(chuàng)新型替代。與國際品牌T公司C2000相比，先楫HPM6200系列CPU性能實現(xiàn)了超越。HPM6200主頻600MHz，而C2000在200MHz以內(nèi)；再和國際品牌S公司的G4系列對比，HPM6200系列在CPU性能、16位ADC、PLA等性能和功能上實現(xiàn)超越。

先楫半導(dǎo)體主要產(chǎn)品介紹：

HPM6700/6400系列芯片

HPM6700/6400 系列產(chǎn)品是先楫半導(dǎo)體推出的高性能高實時 RISC-V MCU 旗艦產(chǎn)品，目前已經(jīng)量產(chǎn)。與國際競品相比，HPM6700系列芯片單核運(yùn)行主頻即可達(dá)到驚人的816MHz，在CoreMark跑分測試中，HPM6700獲得了9220的高分，成功刷新了國際MCU領(lǐng)域的性能記錄。

在具體性能方面，HPM6700/6400系列芯片采用RISC-V 內(nèi)核，支持雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算及強(qiáng)大的 DSP 擴(kuò)展，主頻頻率創(chuàng)下了MCU 性能新紀(jì)錄，是目前市場上高性能MCU的理想之選。此外，該系列芯片還配置了高效 L1 緩存和本地存儲器，加上 2MB 內(nèi)置通用SRAM，極大避免了低速外部存儲器引發(fā)的性能損失。

HPM6700/6400系列芯片還擁有強(qiáng)大的多媒體支持能力和豐富外設(shè)接口，其適配的LCD顯示控制器可支持高達(dá)1366x768 60fps的八圖層RGB顯示支持，支持圖形加速功能，可支持雙千兆以太網(wǎng)，IEEE1588，雙目攝像頭。并具有4個獨(dú)立的pwm模塊，每個模塊可生成8通道互補(bǔ)PWM，及16通道普通PWM、3 個 12 位高速 ADC 5MSPS、1 個 16 位高精度 ADC 2MSPS、4 個模擬比較器等多個接口。

HPM6300系列

先楫半導(dǎo)體推出的HPM6300全系列產(chǎn)品采用晶心Andes D45 RISC-V內(nèi)核，支持雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算。模擬模塊包括16bit-ADC，12-bit DAC和模擬比較器，配以多組納秒級高分辨率PWM，為馬達(dá)控制和數(shù)字電源應(yīng)用提供強(qiáng)大硬件支持；通訊接口包括了實時以太網(wǎng)，支持IEEE1588，內(nèi)置PHY的高速USB，多路CAN-FD及豐富的UART，SPI，I2C等接口。

HPM6300的主頻達(dá)到648MHz, 并具有FFA協(xié)處理器，能實現(xiàn)FFT/FIR快速計算，具備3個16位的ADC、10/100M以太網(wǎng)等，適合工業(yè)自動化、電網(wǎng)等行業(yè)應(yīng)用，如工業(yè)自動化領(lǐng)域的伺服驅(qū)動器、PLC、工業(yè)控制器，電網(wǎng)的DTU、斷路器等產(chǎn)品。

不僅在性能方面表現(xiàn)優(yōu)異，HPM6300同時也是一款高性價比的產(chǎn)品，其高實時性、互聯(lián)性、16位ADC的特性，一經(jīng)推出就獲得了自動化、電網(wǎng)、新能源客戶的認(rèn)可。目前已在行業(yè)頭部客戶中導(dǎo)入產(chǎn)品設(shè)計，在FFT、AI推理性能上超越了傳統(tǒng)的DSP。

在工業(yè)領(lǐng)域，電機(jī)驅(qū)動是整個自動化的基礎(chǔ)應(yīng)用，如用于CNC機(jī)床、機(jī)器人的伺服驅(qū)動器，用于新能源汽車的主驅(qū)、壓縮機(jī)驅(qū)動等。由于這些行業(yè)本身的發(fā)展和需求增加，對MCU提出了更高的要求，如高算力、高實時性、16位ADC、單芯片多軸控制等。

HPM6200系列

HPM6200是先楫半導(dǎo)體推出的高性能、高實時、高精度混合信號的通用微控制器系列，為精準(zhǔn)控制而生，主要應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源，儲能，電動汽車，工業(yè)自動化等。

性能方面，HPM6200系列芯片主頻達(dá)到600MHz， 是RISC-V 單雙核處理器，帶有FPU和DSP，內(nèi)置4 組8通道增強(qiáng)型 PWM 控制器（8ch/組），提升了系統(tǒng)控制精度，可實現(xiàn)單芯片控制多軸電機(jī)或者單芯片實現(xiàn)復(fù)雜拓?fù)涞臄?shù)字電源。同時配備了可編程邏輯陣列 PLA， 3 個 2MSPS 16 位高精度 ADC， 16個模擬輸入通道以及4 個模擬比較器和 2 個 1MSPS 12 位 DAC。